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  • 型号: US6J2TR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供US6J2TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 US6J2TR价格参考。ROHM SemiconductorUS6J2TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载US6J2TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有US6J2TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ROHM半导体的US6J2TR是一款N沟道MOSFET阵列,采用双晶体管配置,封装小巧(如SOT-26),适用于高密度、低功耗的便携式电子设备。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)和负载开关,提供高效能的电源控制,适用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池供电系统。

2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中,US6J2TR可用于H桥或半桥拓扑结构,广泛应用于微型家电、电动玩具和办公自动化设备。

3. 信号切换与逻辑控制:由于具备快速开关特性和低导通电阻(RDS(on)),适合用作模拟或数字信号的开关元件,常见于通信模块、传感器接口和I/O扩展电路中。

4. LED背光与照明驱动:在中小尺寸显示屏背光或LED照明系统中,作为恒流控制或脉宽调制(PWM)开关使用,实现亮度调节功能。

5. 消费类电子产品:广泛应用于蓝牙耳机、智能手表、无线充电器等便携设备中,满足小体积、低功耗和高效率的设计需求。

US6J2TR具有良好的热稳定性和可靠性,工作温度范围宽(通常为-55°C至+150°C),适合在紧凑空间内长期稳定运行。其阵列结构有助于减少外围元件数量,简化PCB布局,提升整体系统集成度。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6MOSFET 2P-CH 20V 1A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor US6J2TR-

数据手册

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产品型号

US6J2TR

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-漏源导通电阻

570 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

8 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

150pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.1nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

390 毫欧 @ 1A,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TUMT6

其它名称

US6J2DKR

典型关闭延迟时间

25 ns

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

570 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

封装/箱体

TUMT-6

工具箱

/product-detail/zh/846-1003-KIT/846-1003-KIT-ND/2277304

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

+/- 1 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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