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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供US6J2TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 US6J2TR价格参考。ROHM SemiconductorUS6J2TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载US6J2TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有US6J2TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ROHM半导体的US6J2TR是一款N沟道MOSFET阵列,采用双晶体管配置,封装小巧(如SOT-26),适用于高密度、低功耗的便携式电子设备。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)和负载开关,提供高效能的电源控制,适用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池供电系统。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中,US6J2TR可用于H桥或半桥拓扑结构,广泛应用于微型家电、电动玩具和办公自动化设备。 3. 信号切换与逻辑控制:由于具备快速开关特性和低导通电阻(RDS(on)),适合用作模拟或数字信号的开关元件,常见于通信模块、传感器接口和I/O扩展电路中。 4. LED背光与照明驱动:在中小尺寸显示屏背光或LED照明系统中,作为恒流控制或脉宽调制(PWM)开关使用,实现亮度调节功能。 5. 消费类电子产品:广泛应用于蓝牙耳机、智能手表、无线充电器等便携设备中,满足小体积、低功耗和高效率的设计需求。 US6J2TR具有良好的热稳定性和可靠性,工作温度范围宽(通常为-55°C至+150°C),适合在紧凑空间内长期稳定运行。其阵列结构有助于减少外围元件数量,简化PCB布局,提升整体系统集成度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6MOSFET 2P-CH 20V 1A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor US6J2TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | US6J2TR |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 570 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 390 毫欧 @ 1A,4.5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TUMT6 |
| 其它名称 | US6J2DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 570 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | TUMT-6 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1003-KIT/846-1003-KIT-ND/2277304 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | +/- 1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |