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  • 型号: SP8M8TB
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SP8M8TB由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SP8M8TB价格参考。ROHM SemiconductorSP8M8TB封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SP8M8TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SP8M8TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SP8M8TB 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效、小型化电源管理和开关控制的场合。该器件内部集成了多个MOSFET,通常采用小型封装,适用于空间受限的设计。

典型应用场景包括:

1. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的驱动电路,如打印机、扫描仪、机器人等设备中的电机控制。

2. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关或电源分配系统,提高电源效率并减小电路板面积。

3. LED背光驱动:在便携式设备或显示设备中用于LED背光的开关与调光控制。

4. 工业自动化控制:作为开关元件用于PLC、传感器模块、继电器替代方案等工业控制系统中。

5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、无线耳机等设备中的电源开关或外围电路控制。

该器件具有低导通电阻、高集成度和良好的热性能,适合高频开关应用,有助于简化电路设计并提高系统可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N+P 30V 6A/4.5A 8-SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

SP8M8TB

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

520pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.2nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

30 毫欧 @ 6A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

SP8M8TBDKR

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A,4.5A

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