Datasheet下载- 型号： SI4947ADY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4947ADY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4947ADY-T1-E3价格参考。VishaySI4947ADY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4947ADY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4947ADY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4947ADY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - 该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和负载开关中，用于高效控制电流的通断。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以降低功耗，提高系统效率。 - 在电池管理系统（BMS）中，可用于电池充放电保护、过流保护以及多路电源切换。 2. 电机驱动 - SI4947ADY-T1-E3 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率级开关元件。双通道设计允许同时控制两个独立的电机或实现 H 桥电路中的部分功能。 3. 信号切换 - 在需要高频信号切换的应用中，例如多路复用器或多路选择器，该器件能够快速切换信号路径，同时保持较低的信号损耗。 - 它也适用于音频信号切换，确保低失真和高保真度。 4. 便携式电子设备 - 由于其小尺寸（采用 DFN8 封装）和低功耗特性，该 MOSFET 阵列非常适合便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它可用于 USB 端口保护、充电控制和外围设备接口管理。 5. 工业自动化 - 在工业控制系统中，可用于传感器信号调理、继电器替代以及 PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块中，实现对负载的精确控制。 6. 通信设备 - 在网络设备、路由器和交换机中，该器件可用于电源分配、热插拔保护以及信号隔离等功能。 7. 汽车电子 - 在车载电子系统中，例如信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）和 LED 照明控制中，SI4947ADY-T1-E3 可提供可靠的开关性能，并满足汽车环境下的严格要求。 总结来说，SI4947ADY-T1-E3 凭借其双通道设计、低导通电阻和紧凑封装，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域，特别是在需要高效功率开关和信号切换的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOICMOSFET 30V 3.9A 2W |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4947ADY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4947ADY-T1-E3SI4947ADY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4947ADY-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4947ADY-E3 |
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