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SI5903DC-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5903DC-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5903DC-T1-E3价格参考。VishaySI5903DC-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 2.1A 1.1W 表面贴装 1206-8 ChipFET™。您可以下载SI5903DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5903DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5903DC-T1-E3 是一款包含多个MOSFET的阵列器件,适用于需要高效功率管理与开关控制的多种电子系统。其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中,实现高效能电能转换和分配。 2. 电机控制:在直流电机或步进电机驱动电路中,作为功率开关使用,支持精确的速度与方向控制。 3. 工业自动化设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代方案和传感器接口电路,提供可靠的开关和保护功能。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块,用于提高能效和减小电路尺寸。 5. 通信设备:在基站、路由器和交换机的电源模块中,作为高效开关元件,支持稳定供电与热插拔保护。 6. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动和车载充电器中,满足汽车应用对高可靠性和耐环境能力的要求。 该器件因集成度高、导通电阻低、封装紧凑等优点,广泛应用于需要高效、小型化设计的功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5903DC-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 155 毫欧 @ 2.1A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5903DC-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.1A |