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  • 型号: SI5517DU-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI5517DU-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI5517DU-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5517DU-T1-GE3价格参考。VishaySI5517DU-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual。您可以下载SI5517DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5517DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETMOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

7.2 A

Id-连续漏极电流

7.2 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?73529

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5517DU-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI5517DU-T1-GE3SI5517DU-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

2.3 W

Pd-功率耗散

2.3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

32 mOhms, 60 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

32 mOhms, 60 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

65 ns, 35 ns

下降时间

10 ns, 55 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

520pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

39 毫欧 @ 4.4A,4.5V

产品种类

Dual MOSFETs

供应商器件封装

PowerPAK® ChipFet 双

其它名称

SI5517DU-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

40 ns, 40 ns

功率-最大值

8.3W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® CHIPFET™ 双

封装/箱体

PowerPAK-8 ChipFET Dual

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI5517DU-GE3

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