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  • 型号: BSO200N03
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSO200N03由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO200N03价格参考。InfineonBSO200N03封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSO200N03参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSO200N03 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 BSO200N03 是一款N沟道MOSFET阵列器件,属于功率MOSFET产品线,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于高效、高密度的电源管理应用。

该器件主要应用于需要高效开关性能和紧凑设计的场景。常见应用场景包括:  
1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、同步整流电路,提升电源转换效率,广泛应用于服务器、通信设备和工业电源中。  
2. 电机驱动:在小型电机控制、步进电机或直流电机驱动电路中,BSO200N03可实现快速开关与低功耗运行,适用于工业自动化和家用电器。  
3. 负载开关与电源分配:作为高侧或低侧开关,用于控制电子系统的供电通断,提供过流保护和热稳定性。  
4. LED驱动电路:在大功率LED照明系统中,用于恒流控制和开关调节,确保亮度稳定与能效优化。  
5. 电池管理系统(BMS):在便携式设备或储能系统中,用于电池充放电控制和保护电路,提高系统安全性与可靠性。

BSO200N03凭借其优异的热性能和可靠性的封装设计,适合在空间受限但要求高性能的环境中使用。其低栅极电荷和快速响应特性,也使其在高频开关应用中表现出色。总体而言,该器件适用于工业控制、消费电子、通信基础设施及汽车辅助系统等多种领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSO200N03_v1.2_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a1a5542a6

产品图片

产品型号

BSO200N03

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 13µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1010pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 7.9A,10V

供应商器件封装

PG-DSO-8

其它名称

BSO200N03INDKR

功率-最大值

1.4W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.6A

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