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产品简介:
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Infineon Technologies 的 BSO200N03 是一款N沟道MOSFET阵列器件,属于功率MOSFET产品线,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于高效、高密度的电源管理应用。 该器件主要应用于需要高效开关性能和紧凑设计的场景。常见应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、同步整流电路,提升电源转换效率,广泛应用于服务器、通信设备和工业电源中。 2. 电机驱动:在小型电机控制、步进电机或直流电机驱动电路中,BSO200N03可实现快速开关与低功耗运行,适用于工业自动化和家用电器。 3. 负载开关与电源分配:作为高侧或低侧开关,用于控制电子系统的供电通断,提供过流保护和热稳定性。 4. LED驱动电路:在大功率LED照明系统中,用于恒流控制和开关调节,确保亮度稳定与能效优化。 5. 电池管理系统(BMS):在便携式设备或储能系统中,用于电池充放电控制和保护电路,提高系统安全性与可靠性。 BSO200N03凭借其优异的热性能和可靠性的封装设计,适合在空间受限但要求高性能的环境中使用。其低栅极电荷和快速响应特性,也使其在高频开关应用中表现出色。总体而言,该器件适用于工业控制、消费电子、通信基础设施及汽车辅助系统等多种领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSO200N03_v1.2_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a1a5542a6 |
产品图片 | |
产品型号 | BSO200N03 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 13µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1010pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 7.9A,10V |
供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
其它名称 | BSO200N03INDKR |
功率-最大值 | 1.4W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A |