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- 型号： DMN3190LDW-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3190LDW-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3190LDW-7价格参考。Diodes Inc.DMN3190LDW-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN3190LDW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3190LDW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN3190LDW-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DMN3190LDW-7 适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块（VRM）。它能够高效地控制电流流动，降低功耗并提高系统效率。 - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中，该器件可用于电池充电管理和电源分配。 2. 信号切换 - 该 MOSFET 阵列适合用于信号切换电路，尤其是在需要多路输入/输出切换的场景中。例如，在音频设备中，它可以用来切换不同的输入源。 - 在数据通信领域，DMN3190LDW-7 可用于高速信号的路由和隔离。 3. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，DMN3190LDW-7 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻特性有助于减少发热并提高效率。 - 适用于消费电子中的风扇、泵和其他小型直流电机。 4. 负载保护 - 该器件可用作负载保护开关，防止过流、短路或反向电压对下游电路造成损害。 - 在汽车电子中，它可以保护关键组件免受瞬态电压的影响。 5. 消费电子产品 - DMN3190LDW-7 常见于消费类电子产品，如电视、音响、游戏机等。它能够提供高效的功率转换和信号处理能力。 - 在 USB 接口设计中，该器件可以用作端口保护和电流限制。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中，DMN3190LDW-7 可用于传感器接口、继电器驱动和信号放大等场景。 - 其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用环境。 总结 DMN3190LDW-7 凭借其低导通电阻、高开关速度和小尺寸封装，广泛应用于电源管理、信号切换、电机驱动、负载保护以及消费电子和工业自动化等领域。其出色的性能使其成为许多现代电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3190LDW-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN3190LDW-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.32 W |
| Pd-功率耗散 | 320 mW |
| Qg-GateCharge | 2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8.9 ns |
| 下降时间 | 15.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 87pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 1.3A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DMN3190LDW-7DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 30.3 ns |
| 功率-最大值 | 320mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.7 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A |
| 系列 | DMN3190L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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