Datasheet下载- 型号： SI4966DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4966DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4966DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4966DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4966DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4966DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4966DY-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET阵列器件，采用双N沟道增强型MOSFET结构（实际为P/N沟道组合，具体以数据手册为准），常用于电源管理与负载开关应用。该器件广泛应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，用于电池供电系统的电源切换与反向电流保护。其低导通电阻（RDS(on)）可有效减少功耗，提高能效，适合对功耗敏感的场景。 SI4966DY-T1-GE3 还常见于DC-DC转换电路中，作为同步整流或电平转换的开关元件，提升电源转换效率。此外，由于其小型化封装（如SO-8），适用于空间受限的高密度PCB设计。在热插拔电路、电机驱动及LED驱动等工业控制场合也有应用，提供可靠的开关控制与过流保护功能。其稳定的工作温度范围和良好的热性能确保在复杂环境下的可靠性。总体而言，该器件适用于需要高效、紧凑和低功耗开关解决方案的多种电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4966DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 7.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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