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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN4027SSD-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN4027SSD-13价格参考。Diodes Inc.DMN4027SSD-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN4027SSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN4027SSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN4027SSD-13 是一款双通道、N沟道增强型MOSFET阵列,采用SOT-363(SC-88)小尺寸封装,适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括: 1. 便携式电子产品:由于体积小巧、功耗低,广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与负载开关控制。 2. 电池供电系统:在电池管理系统(BMS)或充电电路中用于信号切换和电源通断控制,具备良好的导通性能和低漏电流,有助于延长电池寿命。 3. 电源开关与负载切换:适用于DC-DC转换器、LDO使能控制或多路电源切换,实现高效、快速的开关操作。 4. 电机驱动与继电器替代:在微型电机控制或固态继电器应用中作为驱动元件,提供无机械触点的可靠开关方案。 5. 接口电路保护与信号路由:用于I²C、USB等低电压信号路径中的电平转换或热插拔保护,防止反向电流或过流损坏主控芯片。 DMN4027SSD-13具有低阈值电压(典型值0.8V)、低导通电阻(RDS(on)约85mΩ),支持逻辑电平驱动,可直接由3.3V或更低电压微控制器控制,非常适合高密度、低功耗的现代电子设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SOMOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.4 A |
Id-连续漏极电流 | 5.4 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN4027SSD-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN4027SSD-13 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
Pd-功率耗散 | 1.25 W |
Qg-GateCharge | 6.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 6.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 604pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 27 毫欧 @ 7A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMN4027SSD-13DKR |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 22.8 S |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A |
系列 | DMN4027 |
配置 | Dual |