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  • 型号: SI1988DH-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI1988DH-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1988DH-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1988DH-T1-E3价格参考。VishaySI1988DH-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.3A 1.25W 表面贴装 SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1988DH-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1988DH-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI1988DH-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于多种电子电路中。以下是其典型应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:用于降压或升压转换器中的开关元件,实现高效的电压调节。
   - 负载开关:控制电路中负载的通断,保护下游电路免受过流或短路影响。
   - 电池管理系统 (BMS):用于电池充放电控制,确保电流和电压在安全范围内。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:通过 PWM(脉宽调制)信号控制电机的速度和方向。
   - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机驱动。

 3. 信号切换
   - 多路复用器/解复用器:在信号路径之间进行切换,适用于通信设备或多路输入/输出系统。
   - 音频信号切换:在音频设备中切换不同的输入源,例如耳机与扬声器之间的切换。

 4. 保护电路
   - 过流保护:利用 MOSFET 的低导通电阻特性,快速响应并切断过流路径。
   - 热插拔保护:防止设备在热插拔过程中因瞬时电流冲击而损坏。

 5. 消费电子产品
   - 便携式设备:如智能手机、平板电脑等,用于电源管理和外围设备接口。
   - USB 充电端口控制:实现 USB 端口的动态功率分配和过载保护。

 6. 工业应用
   - 传感器接口:用于工业自动化设备中的信号隔离和放大。
   - 继电器替代:在需要快速开关和高可靠性的场合,用 MOSFET 替代传统机械继电器。

 7. 汽车电子
   - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和显示屏背光控制。
   - 车身控制系统:如车窗升降、座椅调节等小功率执行器的驱动。

SI1988DH-T1-E3 的特点包括低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,使其非常适合上述应用场景。同时,其紧凑的封装形式也适合空间受限的设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S)

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

1.3 A

Id-连续漏极电流

1.3 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1988DH-T1-E3TrenchFET®

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产品型号

SI1988DH-T1-E3SI1988DH-T1-E3

Pd-PowerDissipation

740 mW

Pd-功率耗散

740 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

168 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

168 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

20 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

110pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.1nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

168 毫欧 @ 1.4A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

其它名称

SI1988DH-T1-E3CT

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

1.25W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

168 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

1.3 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.3A

系列

SI19xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI1988DH-E3

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