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SI1988DH-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1988DH-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1988DH-T1-E3价格参考。VishaySI1988DH-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.3A 1.25W 表面贴装 SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1988DH-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1988DH-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1988DH-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于多种电子电路中。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:用于降压或升压转换器中的开关元件,实现高效的电压调节。 - 负载开关:控制电路中负载的通断,保护下游电路免受过流或短路影响。 - 电池管理系统 (BMS):用于电池充放电控制,确保电流和电压在安全范围内。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:通过 PWM(脉宽调制)信号控制电机的速度和方向。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机驱动。 3. 信号切换 - 多路复用器/解复用器:在信号路径之间进行切换,适用于通信设备或多路输入/输出系统。 - 音频信号切换:在音频设备中切换不同的输入源,例如耳机与扬声器之间的切换。 4. 保护电路 - 过流保护:利用 MOSFET 的低导通电阻特性,快速响应并切断过流路径。 - 热插拔保护:防止设备在热插拔过程中因瞬时电流冲击而损坏。 5. 消费电子产品 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑等,用于电源管理和外围设备接口。 - USB 充电端口控制:实现 USB 端口的动态功率分配和过载保护。 6. 工业应用 - 传感器接口:用于工业自动化设备中的信号隔离和放大。 - 继电器替代:在需要快速开关和高可靠性的场合,用 MOSFET 替代传统机械继电器。 7. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和显示屏背光控制。 - 车身控制系统:如车窗升降、座椅调节等小功率执行器的驱动。 SI1988DH-T1-E3 的特点包括低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,使其非常适合上述应用场景。同时,其紧凑的封装形式也适合空间受限的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1988DH-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1988DH-T1-E3SI1988DH-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 740 mW |
| Pd-功率耗散 | 740 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 168 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 168 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.1nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 168 毫欧 @ 1.4A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
| 其它名称 | SI1988DH-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 168 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 1.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.3A |
| 系列 | SI19xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI1988DH-E3 |