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SI4936ADY-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4936ADY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4936ADY-T1-E3价格参考。VishaySI4936ADY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 4.4A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4936ADY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4936ADY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4936ADY-T1-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,广泛应用于需要高效、高密度功率转换的场景。该器件采用TDFN封装,具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能,适合对空间和效率要求较高的设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率,降低功耗。 2. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如无人机、机器人和电动工具中的驱动模块。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备,用于电池保护和功率开关控制。 4. 负载开关与电源分配:在服务器和通信设备中作为高效负载开关,实现多路电源管理。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动及电池管理系统(BMS)中,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 SI4936ADY-T1-E3凭借其高集成度和优异性能,在中低功率应用中提供了紧凑且高效的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOICMOSFET 30V 5.9A 2W |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.9 A |
Id-连续漏极电流 | 5.9 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4936ADY-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4936ADY-T1-E3SI4936ADY-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
Pd-功率耗散 | 1.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
上升时间 | 14 ns |
下降时间 | 14 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 5.9A,10V |
产品种类 | Dual MOSFETs |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4936ADY-T1-E3-ND |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI4936ADY-E3 |