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  • 型号: SI4936ADY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI4936ADY-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4936ADY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4936ADY-T1-E3价格参考。VishaySI4936ADY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 4.4A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4936ADY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4936ADY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4936ADY-T1-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,广泛应用于需要高效、高密度功率转换的场景。该器件采用TDFN封装,具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能,适合对空间和效率要求较高的设计。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率,降低功耗。

2. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如无人机、机器人和电动工具中的驱动模块。

3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备,用于电池保护和功率开关控制。

4. 负载开关与电源分配:在服务器和通信设备中作为高效负载开关,实现多路电源管理。

5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动及电池管理系统(BMS)中,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。

SI4936ADY-T1-E3凭借其高集成度和优异性能,在中低功率应用中提供了紧凑且高效的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOICMOSFET 30V 5.9A 2W

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

5.9 A

Id-连续漏极电流

5.9 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4936ADY-T1-E3TrenchFET®

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产品型号

SI4936ADY-T1-E3SI4936ADY-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.1 W

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

36 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

36 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 20 V

上升时间

14 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

36 毫欧 @ 5.9A,10V

产品种类

Dual MOSFETs

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4936ADY-T1-E3-ND
SI4936ADY-T1-E3TR
SI4936ADYT1E3

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

1.1W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.4A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI4936ADY-E3

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