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IRF7504TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7504TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7504TRPBF价格参考。International RectifierIRF7504TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.7A 1.25W 表面贴装 Micro8™。您可以下载IRF7504TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7504TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies旗下的IRF7504TRPBF是一款P沟道MOSFET阵列,采用双N沟道与双P沟道配置(实际为两个P沟道MOSFET集成于单一封装),常用于需要高效电源管理和小型化设计的场景。该器件适用于便携式电子设备、电池供电系统及消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。 其主要应用场景包括电源开关、负载开关、电机驱动控制、电平转换电路以及热插拔保护电路。由于具备低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷和高开关效率,IRF7504TRPBF在降低功耗和提升能效方面表现优异,适合对节能要求较高的应用。此外,它还广泛用于DC-DC转换器中的同步整流环节,有助于提高电源转换效率。 该器件采用节省空间的PQFN或类似小型封装,具备良好的热性能和可靠性,适合高密度PCB布局。因其符合RoHS标准且无铅,满足现代电子产品环保要求。总体而言,IRF7504TRPBF适用于对尺寸、功耗和可靠性有较高要求的中低功率模拟与电源管理应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 1.7A Micro 8 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7504TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7504TRPBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| Qg-GateCharge | 5.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 240pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 其它名称 | IRF7504TRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
| 封装/箱体 | Micro-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |