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产品简介:
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APTM50AM38STG是Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)生产的一款MOSFET阵列产品,属于功率MOSFET器件,采用N沟道设计,具备高耐压和高电流能力。该器件主要应用于需要高可靠性和高效能开关性能的工业与电源管理系统中。 典型应用场景包括:工业电机驱动、大功率开关电源(如DC-DC转换器、AC-DC电源模块)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。其高击穿电压(380V)和低导通电阻特性,有助于降低能量损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET阵列适合在高温、高负载环境下稳定运行,因此也广泛用于严苛工业环境中的功率控制模块。 由于其封装形式(TO-247)具有良好的散热性能,APTM50AM38STG适用于需要紧凑设计且散热要求较高的设备。同时,该器件具备较强的抗雪崩能力和可靠性,适合应对电压突变和瞬态过载情况,保障系统安全。 综上,APTM50AM38STG主要面向高功率、高稳定性要求的工业与能源领域,特别适用于电源转换、电机控制及新能源发电系统等关键应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | http://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/8161-aptm50am38stg-rev5-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
产品图片 | |
产品型号 | APTM50AM38STG |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 246nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 45A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | SP4 |
功率-最大值 | 694W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP4 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A |