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- 型号： QS6K1TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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QS6K1TR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供QS6K1TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS6K1TR价格参考￥1.76-￥1.76。ROHM SemiconductorQS6K1TR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 1A 1.25W 表面贴装 TSMT6（SC-95）。您可以下载QS6K1TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有QS6K1TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的QS6K1TR是一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 便携式电子设备：QS6K1TR常用于手机、平板电脑和其他便携式电子设备中，作为开关或负载驱动器使用。其低导通电阻和小封装尺寸非常适合这些设备对空间和效率的要求。 2. 电源管理：在电源管理电路中，QS6K1TR可以用于实现高效的DC-DC转换器、负载开关以及电池保护电路。它的低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体效率。 3. 电机控制：小型电机驱动应用中，QS6K1TR可以用作驱动器中的开关元件。它能够快速切换并提供稳定的电流输出，适用于玩具、家用电器等产品中的小型电机控制。 4. 信号切换：在需要进行信号切换的场合，例如多路复用器或解复用器中，QS6K1TR凭借其优良的电气特性和稳定性，成为理想的选择。 5. 消费类电子产品：包括数码相机、音频设备等在内的各种消费类电子产品中，QS6K1TR可用于多种功能模块的开关控制，如LED驱动、传感器接口等。 6. 通信设备：在基站、路由器等通信设备中，QS6K1TR可用于射频前端模块的开关控制以及其他相关功能。 总之，QS6K1TR以其优异的性能参数（如低导通电阻、高耐压能力）和紧凑的设计，在众多领域得到了广泛应用，特别是在注重能效和小型化的现代电子设计中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor QS6K1TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | QS6K1TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 260 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 77pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 238 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | QS6K1CT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
