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产品简介:
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DMN2029USD-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管,属于 FET、MOSFET 阵列类别。该型号具有以下应用场景: 1. 电源管理 - DMN2029USD-13 常用于各种电源管理电路中,例如负载开关、DC-DC 转换器和 LDO(低压差稳压器)等。其低导通电阻(Rds(on))特性能够有效减少功率损耗,提高效率。 - 在便携式设备中,可用于电池充电管理或电压调节。 2. 信号切换 - 由于其小尺寸和高效性能,该器件适用于需要高频信号切换的场景,如音频信号切换、数据线路切换等。 - 可用于 USB 端口保护、GPIO 扩展或其他数字信号切换应用。 3. 电机控制 - 在小型电机驱动应用中,DMN2029USD-13 可作为驱动 MOSFET 使用,控制电机的启停和方向。 - 其快速开关速度有助于实现精确的 PWM(脉宽调制)控制。 4. 负载保护 - 该器件可作为过流保护或短路保护的元件,防止下游电路因异常电流而损坏。 - 在汽车电子、工业控制等领域,可用于保护敏感电路免受瞬态电压影响。 5. 消费电子产品 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理和信号切换。 - 在智能家居设备中,可用于控制 LED 灯光、传感器接口等。 6. 通信设备 - 在路由器、交换机和其他网络设备中,可用于电源分配、信号隔离和保护功能。 - 其紧凑的封装形式(如 SOT-23 或更小)非常适合高密度设计需求。 7. 其他应用 - 在物联网(IoT)设备中,可用于低功耗模式下的电源控制。 - 在医疗设备中,可用于精密仪器的电源管理和信号处理。 总之,DMN2029USD-13 凭借其出色的电气性能和小型化设计,适合多种低功耗、高效率的应用场景,尤其是在对空间和能耗有严格要求的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN2029USD-13 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1171pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.6nC @ 8V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMN2029USD-13DICT |
功率-最大值 | 1.2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A |