Datasheet下载- 型号： MMDF2P02ER2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF2P02ER2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF2P02ER2G价格参考。ON SemiconductorMMDF2P02ER2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDF2P02ER2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDF2P02ER2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMDF2P02ER2G是一款双P沟道增强型MOSFET阵列，采用4引脚DFN封装，具有低导通电阻、小型化设计和高可靠性等特点。该器件主要适用于需要高效能、低功耗和紧凑布局的电源管理与开关控制场景。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的负载开关或电源切换，用于控制不同模块的供电以节省能耗；电池供电系统中的反向电流阻断和电池保护电路；各类消费类电子产品中的DC-DC转换器同步整流或电平转换电路；以及小型电机驱动、LED驱动和热插拔电源管理等。 由于其双P沟道结构，MMDF2P02ER2G特别适合用于高边开关（High-side Switch）应用，能够有效替代机械继电器或分立元件，提升系统集成度与响应速度。同时，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热性能和抗干扰能力，可在工业环境温度范围内稳定运行，广泛应用于工业控制、通信模块和家用电器等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR P-CH 25V 2.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDF2P02ER2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 475pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A |
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