Datasheet下载- 型号： NVMFD5873NLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFD5873NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFD5873NLT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFD5873NLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFD5873NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFD5873NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVMFD5873NLT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET阵列器件，主要应用于需要高效功率管理的场合。该器件集成了多个MOSFET，适用于电源转换、负载开关、马达控制及电池管理系统等场景。 具体应用包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器等，提高能效，减小电路体积； 2. 负载开关控制：在服务器、通信设备和工业控制系统中，实现对负载的高效开关控制； 3. 马达驱动：适用于小型马达或步进马达的驱动电路； 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，提升系统安全性和效率； 5. 汽车电子：如车载电源系统、LED照明驱动等对可靠性要求较高的场景。 其封装形式和低导通电阻特性使其适用于高密度PCB布局，适合需要高效率和高集成度的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 58A SO8FL |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMFD5873NLT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A |
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