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产品简介:
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CSD75208W1015 是 Texas Instruments(德州仪器)推出的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该器件主要应用于高效能功率转换和电机驱动领域,其应用场景包括但不限于以下方面: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等场景,提供高效的功率转换能力。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机驱动应用中,支持快速切换和精确控制,能够满足高性能电机驱动的需求。 3. 工业自动化:在工业设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等,该器件可以实现高效率的功率传输与控制。 4. 消费电子:应用于笔记本电脑适配器、平板充电器以及各种便携式电子设备中的功率管理模块,确保设备的高效运行和小型化设计。 5. 通信设备:在基站、路由器以及其他通信基础设施中,作为功率级元件参与信号处理及能量转换过程,保障系统的稳定性和可靠性。 6. 汽车电子:可用于车载充电器、LED 照明驱动以及电动助力转向系统(EPS)等领域,适应严苛的工作环境要求。 CSD75208W1015 凭借其优化的电气性能和封装形式,在上述应用场景中展现出优异的表现,同时支持更紧凑的设计方案以满足现代电子产品对空间利用率日益增长的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 P 沟道(双)共源 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD75208W1015 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 410pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 68 毫欧 @ 1A, 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DSBGA |
| 其它名称 | 296-38339-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD75208W1015 |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA,DSBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.6A |