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产品简介:
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NTHD4102PT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列。它具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电子电路设计场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载切换:用于控制负载的开启与关闭,例如在 USB 端口、电池供电设备或外围设备中实现高效的负载切换。 - DC-DC 转换器:作为同步整流器或开关元件,用于降压或升压转换器中,以提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制和低损耗运行。 - 在 H 桥电路中,NTHD4102PT3G 可以用作低侧开关,支持电机的正转和反转控制。 3. 信号切换 - 在需要高频信号切换的应用中,如音频信号切换、传感器信号切换等,其快速开关特性和低电容特性使其表现优异。 4. 电池保护 - 用于锂电池或其他可充电电池组的过流保护和短路保护电路中,通过快速切断电流来防止损坏。 - 在电池管理系统(BMS)中,作为充放电路径的开关元件。 5. 消费电子设备 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电源管理和信号切换功能。 - 用于 LED 驱动电路中,调节亮度或实现 PWM 控制。 6. 工业应用 - 在工业自动化设备中,用于控制继电器、电磁阀或其他低功率执行器。 - 作为信号隔离或缓冲元件,用于保护敏感电路免受高电压或大电流的影响。 7. 通信设备 - 在路由器、交换机或其他网络设备中,用于电源分配和信号切换,确保系统的稳定性和可靠性。 总结 NTHD4102PT3G 的低导通电阻和双通道设计使其非常适合需要高效功率传输和信号切换的应用。它的紧凑封装(如 SOIC-8 或 DFN 封装)也使得它成为空间受限设计的理想选择。无论是消费电子、工业控制还是通信领域,这款 MOSFET 都能提供可靠的性能和灵活性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTHD4102PT3G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
供应商器件封装 | ChipFET™ |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
标准包装 | 10,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.9A |