Datasheet下载- 型号： UM6K31NTN
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UM6K31NTN由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UM6K31NTN价格参考￥0.25-￥0.25。ROHM SemiconductorUM6K31NTN封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载UM6K31NTN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UM6K31NTN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UM6K31NTN是一款P沟道MOSFET阵列，内置两个相同的P沟道MOSFET，采用小型化封装（如UMT6），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低导通电阻、低功耗和高开关效率的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的负载开关或电源切换电路，实现对不同模块的上电/断电控制，降低待机功耗。 2. 便携式电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电压切换、信号路径选择或反向电流阻断。 3. DC-DC转换器：在同步整流或电压反相电路中作为开关元件，提高转换效率。 4. 接口保护与热插拔：用于防止电源反接或过流，保护后级电路。 5. 逻辑电平转换：配合其他MOSFET实现高低压侧信号的双向电平转换，适用于多电压系统通信接口。 UM6K31NTN具有低阈值电压、快速开关响应和高可靠性，适合高频工作环境。其集成双通道设计节省PCB空间，提升系统集成度。同时，Rohm的产品一贯注重稳定性与温度耐受性，使其在消费电子、工业控制及汽车电子辅助系统中均有良好表现。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 250MA UMT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | UM6K31NTN |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 欧姆 @ 250mA，10V |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 其它名称 | UM6K31NTNDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 250mA |
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