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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI1988DH-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于需要高效功率开关和信号切换的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载切换:在便携式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中用于动态控制负载电流,降低功耗。 - 电池保护:用于电池管理系统 (BMS),防止过充、过放或短路。 - DC-DC 转换器:作为同步整流器或开关元件,提高转换效率并减少热损耗。 2. 信号切换 - 多路复用/解复用:在数据采集系统或多路输入/输出设备中,用于选择不同的信号路径。 - 音频信号切换:在音响设备或耳机放大器中实现输入源切换,同时保持低噪声性能。 3. 电机驱动与控制 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器中的小型电机驱动电路,提供高效的开关功能。 - H 桥电路:用于双向电机控制,支持正转、反转及制动操作。 4. 工业自动化 - 传感器接口:用于工业传感器的信号隔离和切换,确保系统的稳定性和可靠性。 - 继电器替代:以固态开关形式替代传统机械继电器,提升响应速度和使用寿命。 5. 消费电子 - USB 端口保护:在 USB 充电或数据传输接口中,用于过流保护和快速切换。 - LED 驱动:用于背光显示或照明系统中的 LED 亮度调节和开关控制。 6. 通信设备 - 射频前端切换:在无线通信模块中用于天线切换,优化信号传输效率。 - 数据链路保护:在有线或无线通信设备中提供过压、过流保护。 SI1988DH-T1-GE3 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高工作频率特性使其特别适合对效率和空间要求较高的应用场合。此外,其紧凑的封装形式(如 TSSOP 封装)也便于在小型化设计中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?74296 |
产品图片 | |
产品型号 | SI1988DH-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.1nC @ 8V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 168 毫欧 @ 1.4A,4.5V |
供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
其它名称 | SI1988DH-T1-GE3CT |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.3A |