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Datasheet下载- 型号： CSD88539ND
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD88539ND由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD88539ND价格参考。Texas InstrumentsCSD88539ND封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 15A 2.1W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载CSD88539ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD88539ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments（德州仪器）的CSD88539ND是一款高性能、低导通电阻（RDS(on)）的N沟道MOSFET阵列，主要用于电源管理、电机控制和工业应用中的高效开关操作。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： - DC-DC转换器：CSD88539ND适用于降压、升压或升降压DC-DC转换器，能够实现高效的功率转换，减少能量损耗。其低导通电阻有助于降低传导损耗，提高整体效率。 - 负载开关：在需要快速响应和低功耗的应用中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中，CSD88539ND可以用作负载开关，确保电源路径的安全性和稳定性。 2. 电机控制： - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，CSD88539ND可以用于驱动无刷直流电机，提供高效率和低发热的性能。 - 步进电机驱动：在精密控制系统中，如3D打印机、扫描仪等，CSD88539ND可以用于驱动步进电机，确保精确的位置控制和稳定的运行。 3. 工业应用： - 逆变器和变频器：在太阳能逆变器、风力发电系统和工业变频器中，CSD88539ND可以用于功率级开关，实现高效的能量转换和调节。 - 智能电网设备：在智能电表、配电自动化设备等电力管理系统中，CSD88539ND可以用于电源管理和保护电路，确保系统的可靠性和安全性。 4. 汽车电子： - 车载充电器：在电动汽车和混合动力汽车中，CSD88539ND可以用于车载充电器的功率转换部分，提供高效且可靠的充电解决方案。 - 车身控制模块：在车窗升降、座椅调节等车身控制系统中，CSD88539ND可以用作开关元件，确保系统的稳定性和响应速度。 总之，CSD88539ND凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率管理和控制的场景，特别是在对能效和热性能有严格要求的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOICMOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.7 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/csd88539nd |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD88539NDNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD88539ND |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 7.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 741pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 296-37304-1 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD88539ND |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 23 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 6.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A |
| 系列 | CSD88539ND |
| 配置 | Dual |
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