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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7389TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7389TRPBF价格参考。International RectifierIRF7389TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7389TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7389TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7389TRPBF是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该型号属于P沟道增强型MOSFET阵列,通常应用于需要高效率、低功耗和快速开关的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 IRF7389TRPBF适用于各种电源管理应用,例如负载开关、电压调节器和DC-DC转换器。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,可以有效降低功率损耗,提高系统效率。 2. 电池保护与切换 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中,该器件可用于电池保护电路和电源切换。P沟道MOSFET的设计使其适合用作高侧开关,便于控制电池充放电过程。 3. 电机驱动与控制 该MOSFET阵列可应用于小型直流电机驱动电路,提供高效的开关性能。其快速开关能力和低功耗特点有助于减少热量积累,延长设备寿命。 4. 数据通信与网络设备 在路由器、交换机和其他网络设备中,IRF7389TRPBF可用作信号路径中的开关元件,确保稳定的信号传输和低噪声干扰。 5. 消费类电子产品 包括音频放大器、LED驱动器等在内的消费类电子产品中,该器件能够实现高效的能量转换和精确的电流控制。 6. 汽车电子 在汽车领域,这款MOSFET阵列可用于车身控制系统、照明控制单元以及辅助驾驶系统的电源管理部分,满足车载环境对可靠性和效率的严格要求。 总结来说,IRF7389TRPBF凭借其优异的电气特性和稳定性,广泛适用于各类需要高性能开关和电源管理的场合,尤其在便携式设备、通信设备及汽车电子中有重要应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOICMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.3 A |
Id-连续漏极电流 | 7.3 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7389TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7389TRPBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 22 nC |
Qg-栅极电荷 | 22 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 46 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 29 毫欧 @ 5.8A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7389PBFDKR |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 46 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
栅极电荷Qg | 22 nC |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 7.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.3A,5.3A |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | 20 V |