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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4532DY由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4532DY价格参考。Fairchild SemiconductorSI4532DY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4532DY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4532DY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(现为安森美半导体)的SI4532DY是一款双通道N沟道MOSFET阵列,属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电子应用领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:SI4532DY常用于便携式设备中的电源管理电路,如负载开关、DC-DC转换器和电池充电保护电路。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。 2. 信号切换:在音频设备、传感器接口和其他需要信号切换的应用中,该器件可用作模拟开关或MUX/DEMUX,实现信号路径的选择和控制。 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的开关功能以控制电机的启动、停止和速度调节。 4. 数据通信:在USB端口保护、热插拔控制器等数据通信接口中,SI4532DY可以保护系统免受过流和短路的影响,同时确保快速响应。 5. 消费类电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中,用于管理各种负载和电源路径。 6. 工业自动化:在工业控制领域,可用于继电器替代、固态继电器设计以及各类开关控制应用,提升系统的可靠性和耐用性。 7. 汽车电子:支持车载信息娱乐系统、车身控制模块和照明控制等功能,满足汽车电子对紧凑性和高效性的要求。 总之,SI4532DY凭借其出色的电气性能和紧凑的封装形式,在众多需要高效开关和低功耗解决方案的应用中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8MOSFET 30V Dual N/P FET Enhancement Mode |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.9 A |
Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor SI4532DY- |
数据手册 | |
产品型号 | SI4532DY |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 53 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 53 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 18 ns, 8 ns |
下降时间 | 0.8 ns, 6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 3.9A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4532DY-ND |
典型关闭延迟时间 | 15 ns, 18 ns |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 187 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 7 S, 5 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.9A,3.5A |
系列 | SI4532 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual Dual Drain |
零件号别名 | SI4532DY_NL |