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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5355BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5355BG价格参考。ON Semiconductor1N5355BG封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 18V 5W ±5% Through Hole Axial。您可以下载1N5355BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5355BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5355BG是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。该型号的主要应用场景包括: 1. 电压稳压: 1N5355BG的齐纳击穿电压为7.5V,适合用于低压电路中的电压稳定。它可以将输出电压维持在一个恒定值,即使输入电压或负载电流发生变化,也能保持稳定的电压输出。 2. 过压保护: 在电路中,1N5355BG可以用来防止瞬态高压对敏感电子元件的损害。例如,在电源输入端或信号线上使用齐纳二极管,能够限制电压不超过其齐纳击穿电压。 3. 信号电平调整: 在信号处理电路中,1N5355BG可用于调整信号电平。通过限制信号的最大电压值,确保后续电路不会因过高电压而损坏。 4. 基准电压源: 由于齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性,1N5355BG可以用作简单的基准电压源,为运算放大器、比较器或其他模拟电路提供参考电压。 5. 电源电路中的辅助功能: 在开关电源或线性电源中,1N5355BG可以作为辅助元件,用于反馈回路中的电压检测或补偿。 6. 浪涌抑制: 在某些应用中,1N5355BG可用于吸收短暂的电压浪涌,保护电路免受瞬时高电压的影响。 总结来说,1N5355BG适用于需要低功率电压稳压、过压保护和信号电平控制的场合,广泛应用于消费电子、工业设备、通信设备和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 18V 5W AXIAL稳压二极管 18V 5W |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1N5355BG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5355BG |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 13.7V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | 1N5355BG-ND |
| 功率-最大值 | 5W |
| 功率耗散 | 5 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | T-18,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 2.5 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 18V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压调节准确度 | 400 mV |
| 系列 | 1N53 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2.5 欧姆 |
| 齐纳电压 | 18 V |
| 齐纳电流 | 264 mA |