Datasheet下载- 型号： SI7222DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7222DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7222DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7222DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7222DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7222DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7222DN-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效开关和低功耗的电路设计中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 用于 DC-DC 转换器中的功率开关，实现高效的电压转换。 - 在负载开关中，控制电源的通断，确保设备在待机模式下降低功耗。 - 电池保护电路中，防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动，提供高效率和低损耗的开关性能。 - 实现 H 桥或半桥拓扑结构，支持电机正转、反转及刹车功能。 3. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中，用于切换不同的信号路径。 - 实现音频或视频信号的隔离与切换，确保信号完整性。 4. 负载控制 - 控制不同负载的开启与关闭，适用于 LED 照明、加热元件或其他电子负载。 - 在汽车电子中，用于控制车灯、雨刷器或座椅加热等功能。 5. 便携式设备 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，优化电池续航时间。 - 作为 USB 充电端口的保护开关，防止过流或短路。 6. 工业自动化 - 在传感器接口中，用于信号放大或驱动外部设备。 - 实现工业控制系统中的开关功能，如继电器替代方案。 SI7222DN-T1-GE3 的低导通电阻（Rds(on)）和小尺寸封装（TSOP-6），使其特别适合对空间和能耗要求较高的应用场合。同时，其优异的电气特性和可靠性也使其成为许多现代电子设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7222DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7222DN-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 17.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
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