【未分类_ZXMC4559DN8TA】封装/厂家_ZXMC4559DN8TA中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： ZXMC4559DN8TA
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMC4559DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMC4559DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMC4559DN8TA封装/规格：未分类，暂无。您可以下载ZXMC4559DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMC4559DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXMC4559DN8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。它是一种双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景：

1. 电源管理：  
   ZXMC4559DN8TA 常用于电源管理领域，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。

2. 信号切换：  
   在需要高频信号切换的场景中，该器件可用作信号开关或缓冲器。其快速开关速度和低电容特性使其非常适合音频、视频和其他高速信号处理应用。

3. 电池保护与管理：  
   该 MOSFET 阵列可用于电池管理系统（BMS），实现过流保护、短路保护和欠压锁定功能。通过精确控制电流流动，确保电池的安全性和使用寿命。

4. 电机驱动：  
   在小型电机驱动应用中，如风扇、泵或伺服电机，ZXMC4559DN8TA 可用作驱动级开关元件，提供高效且稳定的电流输出。

5. 负载控制：  
   它适用于各种负载控制场景，例如 USB 充电端口、LED 驱动和 GPIO 扩展模块。通过动态控制负载状态，优化系统性能。

6. 消费类电子产品：  
   这款 MOSFET 阵列常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中，用于实现高效的电源分配和管理。

7. 工业自动化：  
   在工业领域，ZXMC4559DN8TA 可用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和继电器替代方案，提供可靠的开关功能。

总之，ZXMC4559DN8TA 凭借其出色的电气特性和紧凑封装设计，成为众多电子应用中的理想选择，特别是在对效率、可靠性和空间要求较高的场景中表现尤为突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N/P-CH 60V 8SOICMOSFET Comp. 60V NP-Chnl
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
Id-连续漏极电流	4.7 A
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	ZXMC4559DN8TA
Pd-PowerDissipation	2.1 W
Pd-功率耗散	2.1 W
RdsOn-漏源导通电阻	75 mOhms
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	4.1 ns
下降时间	10.6 ns, 10 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA （最小）
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1063pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	20.4nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	55 毫欧 @ 4.5A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	ZXMC4559DN8DKR
典型关闭延迟时间	26.2 ns, 35 ns
功率-最大值	1.25W
包装	Digi-Reel®
商标	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	75 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	500
晶体管极性	N and P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	+/- 60 V
漏极连续电流	4.7 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.6A，2.6A
通道模式	Enhancement
配置	Complementary

样品试用

万种样品免费试用

去申请