Datasheet下载- 型号： SI5935CDC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5935CDC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5935CDC-T1-E3价格参考。VishaySI5935CDC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5935CDC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5935CDC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5935CDC-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于同步整流电路中，作为高端和低端开关，提高效率并降低功耗。 - 负载开关：控制电路的通断，实现快速响应和低导通电阻（Rds(on)），减少功率损耗。 - 电池管理系统 (BMS)：在电池充放电过程中，用作保护开关或电流调节元件。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小功率电机驱动，提供高效开关和精确控制。 - H 桥电路：用于双向电机驱动，支持正反转功能。 3. 信号切换 - 多路复用器/解复用器：在信号路径选择中，作为低插入损耗的开关，确保信号完整性。 - 音频信号切换：用于音频设备中的输入/输出切换，保持低噪声性能。 4. 保护电路 - 过流保护：通过检测电流大小，实现过流保护功能。 - 短路保护：快速切断异常电流路径，防止设备损坏。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于充电管理、屏幕背光控制等。 - 便携式设备：如蓝牙音箱、智能手表等，需要高效、紧凑的功率解决方案。 6. 通信设备 - 基站和路由器：用于电源分配和信号切换，满足高可靠性和低功耗要求。 特性优势 - 低导通电阻：减少功率损耗，提升系统效率。 - 高工作频率：适合高频开关应用，减少磁性元件体积。 - 小型封装：节省 PCB 空间，便于设计紧凑型产品。 - 高可靠性：符合工业标准，适用于严苛环境。 综上，SI5935CDC-T1-E3 在电源管理、电机驱动、信号切换和保护电路等领域表现出色，特别适合对效率、尺寸和成本有严格要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8MOSFET 20V 4.0A 3.1W 100mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68965 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5935CDC-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5935CDC-T1-E3SI5935CDC-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 455pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 3.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A |
| 系列 | SI59xxxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI5935CDC-E3 |
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