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Datasheet下载- 型号： NTMD4N03R2G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD4N03R2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD4N03R2G价格参考￥1.20-￥2.27。ON SemiconductorNTMD4N03R2G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 4A 2W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD4N03R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD4N03R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD4N03R2G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的晶体管，属于 FET、MOSFET 阵列类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 NTMD4N03R2G 可用于开关电源 (SMPS) 和直流-直流转换器中，作为高效的开关元件。其低导通电阻 (Rds(on)) 特性有助于减少功率损耗，提高系统效率，适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源管理。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵或家用电器中的电机控制，NTMD4N03R2G 能够提供快速开关和低功耗性能，确保电机运行平稳且高效。 3. 负载切换 该器件适合用于负载切换电路，例如在汽车电子、工业自动化或消费电子产品中实现对不同负载的动态控制。其紧凑的设计和高性能使其成为理想选择。 4. 电池保护与管理 在电池管理系统 (BMS) 中，NTMD4N03R2G 可用作充放电路径的开关，帮助防止过流、短路或过度放电等问题，从而保护锂电池或其他可充电电池的安全。 5. 信号调理与隔离 在需要处理高频信号的应用中，如通信设备或数据传输模块，NTMD4N03R2G 的快速开关速度和低电容特性可以有效优化信号质量和系统性能。 6. 固态继电器 (SSR) 利用其高可靠性和长寿命特点，该 MOSFET 阵列可用于替代传统机械继电器，在照明控制、家电开关等领域实现更稳定的固态解决方案。 总结来说，NTMD4N03R2G 凭借其优异的电气特性和稳定性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域，满足多样化的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOICMOSFET 30V 4A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD4N03R2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMD4N03R2G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMD4N03R2GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 48 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A |
| 系列 | NTMD4N03 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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