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PMCPB5530X,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMCPB5530X,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMCPB5530X,115价格参考。NXP SemiconductorsPMCPB5530X,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 5.3A,3.4A 490mW 表面贴装 6-HUSON-EP(2x2)。您可以下载PMCPB5530X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMCPB5530X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PMCPB5530X,115 是一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列类型的产品。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理:PMCPB5530X,115 适用于各种电源管理应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和负载开关。其高效的开关特性和低导通电阻使其成为优化电源效率的理想选择。 2. 信号切换:在需要快速、可靠地切换信号的电路中,这款 MOSFET 阵列可以用于音频设备、数据通信接口以及视频信号切换等场景,确保信号传输的稳定性和完整性。 3. 电池保护与管理:该产品可用于电池管理系统(BMS)中,提供过流保护、短路保护以及防止电池过度充放电的功能,确保电子设备的安全运行。 4. 电机驱动:PMCPB5530X,115 可应用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,支持电机的正反转控制和速度调节,广泛用于消费电子、家用电器及工业自动化领域。 5. 便携式设备:由于其小型化设计和低功耗特性,该器件非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中,以实现高效能和紧凑型设计。 6. 热插拔保护:在服务器、网络设备和其他高可靠性系统中,这款 MOSFET 阵列可以用于热插拔保护电路,避免因插入或拔出设备时产生的电流冲击对系统造成损害。 7. ESD 保护:PMCPB5530X,115 还可以集成到静电放电(ESD)保护电路中,增强敏感电子元件的抗干扰能力。 总之,PMCPB5530X,115 凭借其高性能和多功能性,在众多电子设备和系统中发挥着关键作用,满足多样化的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 6HUSONMOSFET PMCPB5530X/HUSON6/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.3 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMCPB5530X,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMCPB5530X,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 8330 mW |
| Pd-功率耗散 | 8.33 W |
| Qg-GateCharge | 14.4 nC, 8.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14.4 nC, 8.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.65 V, - 0.65 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.65 V, - 0.65 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 34 毫欧 @ 3A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON(2X2) |
| 其它名称 | 568-10754-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 490mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 70 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 5.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A, 3.4A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |