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  • 型号: PMCPB5530X,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMCPB5530X,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMCPB5530X,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMCPB5530X,115价格参考。NXP SemiconductorsPMCPB5530X,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 5.3A,3.4A 490mW 表面贴装 6-HUSON-EP(2x2)。您可以下载PMCPB5530X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMCPB5530X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PMCPB5530X,115 是一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列类型的产品。该型号的应用场景主要包括以下几个方面:

1. 电源管理:PMCPB5530X,115 适用于各种电源管理应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和负载开关。其高效的开关特性和低导通电阻使其成为优化电源效率的理想选择。

2. 信号切换:在需要快速、可靠地切换信号的电路中,这款 MOSFET 阵列可以用于音频设备、数据通信接口以及视频信号切换等场景,确保信号传输的稳定性和完整性。

3. 电池保护与管理:该产品可用于电池管理系统(BMS)中,提供过流保护、短路保护以及防止电池过度充放电的功能,确保电子设备的安全运行。

4. 电机驱动:PMCPB5530X,115 可应用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,支持电机的正反转控制和速度调节,广泛用于消费电子、家用电器及工业自动化领域。

5. 便携式设备:由于其小型化设计和低功耗特性,该器件非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中,以实现高效能和紧凑型设计。

6. 热插拔保护:在服务器、网络设备和其他高可靠性系统中,这款 MOSFET 阵列可以用于热插拔保护电路,避免因插入或拔出设备时产生的电流冲击对系统造成损害。

7. ESD 保护:PMCPB5530X,115 还可以集成到静电放电(ESD)保护电路中,增强敏感电子元件的抗干扰能力。

总之,PMCPB5530X,115 凭借其高性能和多功能性,在众多电子设备和系统中发挥着关键作用,满足多样化的设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 20V 6HUSONMOSFET PMCPB5530X/HUSON6/REEL7

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

5.3 A

Id-连续漏极电流

5.3 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMCPB5530X,115-

数据手册

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产品型号

PMCPB5530X,115

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

8330 mW

Pd-功率耗散

8.33 W

Qg-GateCharge

14.4 nC, 8.1 nC

Qg-栅极电荷

14.4 nC, 8.1 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

70 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

70 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

0.65 V, - 0.65 V

Vgsth-栅源极阈值电压

0.65 V, - 0.65 V

上升时间

15 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

660pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

34 毫欧 @ 3A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-HUSON(2X2)

其它名称

568-10754-1

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

490mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

70 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

封装/箱体

DFN2020-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

+/- 20 V

漏极连续电流

5.3 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.3A, 3.4A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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