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产品简介:
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NTUD3171PZT5G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双N沟道增强型MOSFET阵列,常用于需要高效开关和功率控制的电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,实现高效能电源转换与管理。 2. 电机控制:可用于小型电机驱动电路,如在电动工具、风扇、泵类设备中进行速度与方向控制。 3. 负载开关与继电器替代:作为固态开关用于控制高电流负载,如LED照明、加热元件或执行器。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块(如车窗、门锁控制)及车载充电系统。 5. 工业自动化:用于PLC输出模块、传感器驱动及自动化设备中的功率控制部分。 6. 消费电子:如笔记本电脑、移动电源、智能家电等设备中的电源切换与管理电路。 该器件采用小型封装,适合空间受限的设计,同时具备低导通电阻和良好热性能,适合中低功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTUD3171PZT5G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13.5pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 100mA,4.5V |
供应商器件封装 | SOT-963 |
功率-最大值 | 125mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-963 |
标准包装 | 8,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA |