Datasheet下载- 型号： NTHD4401PT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD4401PT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD4401PT1价格参考。ON SemiconductorNTHD4401PT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHD4401PT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD4401PT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTHD4401PT1是一款P沟道MOSFET阵列器件，采用双芯片封装，适用于需要高效率电源管理与信号控制的应用场景。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适合在空间受限且对功耗敏感的设计中使用。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电系统中的反向电流保护与电源切换；DC-DC转换电路中的同步整流或电平转换；以及各类消费类电子产品中的电机驱动或LED背光控制。此外，由于其具备良好的雪崩耐受能力和静电防护特性，也适用于工业控制、电源模块和适配器等环境较严苛的场合。 NTHD4401PT1采用小型化表面贴装封装（如SOT-563），有助于节省PCB空间，非常适合高密度布局的现代电子设计。其工作温度范围宽（通常为-55°C至+150°C），可在高温环境下稳定运行，提升了系统可靠性。 综上所述，NTHD4401PT1广泛应用于消费电子、工业控制、电源管理和便携设备等领域，尤其适合对效率、尺寸和可靠性有较高要求的低电压、中低功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHD4401PT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 155 毫欧 @ 2.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD4401PT1OS |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A |
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