Datasheet下载- 型号： RRQ030P03TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RRQ030P03TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRQ030P03TR价格参考。ROHM SemiconductorRRQ030P03TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RRQ030P03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RRQ030P03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RRQ030P03TR 是罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：RRQ030P03TR 的低导通电阻（典型值为 2.5mΩ）使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换器和开关电源设计，能够减少功率损耗并提高转换效率。 - 负载开关：可用于控制电路中的电流流动，保护下游电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机，支持快速开关和高效运行，适用于家用电器、玩具和小型工业设备。 - H 桥电路：在需要双向控制的电机应用中，RRQ030P03TR 可作为 H 桥的一部分，实现电机的正转和反转。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：在锂电池或铅酸电池系统中，可以用作充放电路径的开关，防止过充、过放或短路。 - 电量监测：通过精确控制电流流动，帮助实现高效的电量监测和管理。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：如车灯控制、座椅加热、电动窗户等，RRQ030P03TR 的高可靠性使其适合汽车环境下的各种应用。 - 启停系统：用于控制启动电机或辅助系统的供电。 5. 工业自动化 - 传感器接口：在工业控制系统中，可用作传感器信号的开关元件，确保信号的准确传递。 - 继电器替代：由于其快速开关特性和长寿命，可以替代传统机械继电器，用于高频切换场景。 6. 消费类电子产品 - 笔记本电脑和智能手机充电器：用于高效充电电路中，降低热量产生并提高充电速度。 - 音频放大器：作为输出级开关元件，提供稳定的大电流输出，改善音质表现。 7. 其他应用 - LED 驱动：用于大功率 LED 照明的驱动电路，提供稳定的电流输出。 - 太阳能逆变器：在光伏系统中，用作功率转换的关键元件，提升能量转换效率。 RRQ030P03TR 的高性能特性（如低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度）使其成为多种电力电子应用的理想选择，尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6MOSFET TRANS MOSFET P-CH 30V 3A TR |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RRQ030P03TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RRQ030P03TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RRQ030P03TRCT |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 2.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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