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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG3415UFY4-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG3415UFY4-7价格参考。Diodes Inc.DMG3415UFY4-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMG3415UFY4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG3415UFY4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG3415UFY4-7是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,主要应用于低电压、低功耗的场景。以下是其常见的应用场景: 1. 便携式电子设备:该型号适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的电源管理电路,例如开关电源、负载开关和电池管理。 2. 电源管理:DMG3415UFY4-7具有较低的导通电阻(Rds(on)),使其在DC-DC转换器、LDO稳压器和其他电源管理模块中表现出色,能够有效减少功率损耗并提高效率。 3. 电机驱动与控制:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的开关性能以控制电机的速度和方向。 4. 信号切换:可用于音频信号切换、数据线路保护以及传感器信号切换等场合,确保信号传输的可靠性和完整性。 5. 保护电路:在过流保护、短路保护及热插拔保护等电路设计中,这款MOSFET可以快速响应异常情况,从而保护系统免受损害。 6. 消费类电子产品:广泛应用于USB充电器、蓝牙音箱、智能家居设备等需要高效能和小尺寸解决方案的产品中。 由于其小型化的封装(如DFN1006-2)和出色的电气特性,DMG3415UFY4-7非常适合对空间要求严格且追求高效率的应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3MOSFET MOSFET P-CHAN. |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | - 2.5 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMG3415UFY4-7 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.49 W |
Pd-功率耗散 | 490 mW |
Qg-GateCharge | 10 nC |
Qg-栅极电荷 | 10 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 16 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 16 V |
上升时间 | 175.2 ns |
下降时间 | 568 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 281.9pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 4A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DFN2015H4-3 |
其它名称 | DMG3415UFY4-7DIDKR |
典型关闭延迟时间 | 884.5 ns |
功率-最大值 | 490mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
封装/箱体 | DFN2015-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 16V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |
系列 | DMG3415U |
配置 | Single |