Datasheet下载- 型号： SI4835BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4835BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4835BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4835BDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4835BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4835BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4835BDY-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，采用1.2mm × 1.2mm小尺寸封装（PowerPAK SO-8双面散热），具有低导通电阻、高功率密度和优良的热性能。该器件广泛应用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备中。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理电路，如电池供电切换、负载开关和DC-DC转换器；在热插拔电路中用于防止电流冲击；也可用于LED驱动电路和小型电机控制。其P沟道设计简化了栅极驱动电路，无需额外的电荷泵，在关断高侧开关时具有设计便利性。 SI4835BDY-T1-E3具备-30V漏源电压和-10A连续漏极电流能力，导通电阻低至约9.5mΩ（@Vgs=-10V），可有效降低导通损耗，提高系统效率。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于自动化贴片生产。 由于其优异的电气性能和紧凑封装，该MOSFET特别适合高密度、高性能的消费类电子产品和工业控制设备中的电源开关与功率管理应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4835BDY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 9.6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4835BDY-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.4A （Ta） |
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