Datasheet下载- 型号： DMN3115UDM-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3115UDM-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3115UDM-7价格参考。Diodes Inc.DMN3115UDM-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN3115UDM-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3115UDM-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN3115UDM-7 是一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET器件，常用于低电压、高效率的开关应用。其主要应用场景包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理与负载开关，因其导通电阻低（典型值约45mΩ），有助于降低功耗并提升能效。该器件采用1.2V栅极驱动兼容设计，适合与现代低电压逻辑电路（如电池供电系统）直接接口，无需额外电平转换。此外，DMN3115UDM-7 广泛应用于DC-DC转换器、LED驱动电路及电机控制模块中，尤其在空间受限的设计中表现出色，得益于其小型化SOT-1220封装，具备良好的散热性能和高功率密度。由于其快速开关特性，也适用于高频开关电源和热插拔电路保护。总体而言，该MOSFET适用于对尺寸、功耗和效率要求较高的消费电子、工业控制和通信设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN3115UDM-7 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 476pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 其它名称 | DMN3115UDMDIDKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
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