Datasheet下载- 型号： IRFS3006PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3006PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3006PBF价格参考。International RectifierIRFS3006PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS3006PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS3006PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFS3006PBF的器件属于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电力电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于提高能量转换效率和减小体积。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机或无刷电机控制中，作为功率开关使用，常见于电动工具、工业自动化设备和机器人系统。 3. 逆变器与变频器：用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和工业变频驱动中，实现直流电到交流电的高效转换。 4. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块中的负载开关。 5. 负载开关与电源分配：用于服务器、通信设备和工业控制系统中，作为高效率的电子开关控制负载的通断。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（60V）和较强电流承载能力的特点，适合中高功率应用，且支持高频开关操作，有助于提升系统效率和减小外围元件尺寸。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 195A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 200nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 270 A |
| Id-连续漏极电流 | 270 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3006PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS3006PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 375 W |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Qg-GateCharge | 200 nC |
| Qg-栅极电荷 | 200 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8970pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 170A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 375W |
| 功率耗散 | 375 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 200 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 270 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 195A （Tc） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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