Datasheet下载- 型号： IRLR8721PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR8721PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR8721PBF价格参考。International RectifierIRLR8721PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR8721PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR8721PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRLR8721PBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少能量损耗，提高电源效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机控制电路中作为开关元件，用于电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）及工业自动化设备中，实现对电机启停和速度的精确控制。 3. 电池供电设备：由于具有较低的栅极驱动电压（逻辑电平兼容），适合用于便携式电子产品，如移动电源、充电器、LED照明等，便于与低压控制IC直接接口。 4. 负载开关与电源切换：可用于热插拔电路或电源多路切换系统中，实现对负载的快速通断控制，保护后级电路。 5. 汽车电子辅助系统：虽然非车规级主芯片，但在部分车载附件（如车载充电器、小型泵控系统）中也有应用。 IRLR8721PBF凭借其高电流能力、低导通损耗和良好的热稳定性，在中低电压（约20V~30V）功率开关场景中表现优异，是性价比高的通用型功率MOSFET选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 65A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 8.5nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
| Id-连续漏极电流 | 65 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR8721PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR8721PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 65 W |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| Qg-GateCharge | 8.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 65W |
| 功率耗散 | 65 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 8.5 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 65 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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