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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4485DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4485DY-T1-GE3价格参考¥1.18-¥1.18。VishaySI4485DY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4485DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4485DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4485DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电池供电设备中的开关元件,提高能量转换效率。 2. 负载开关:在服务器、笔记本电脑、移动设备中作为高侧或低侧开关,控制电源分配。 3. 马达驱动与继电器替代:用于电机控制电路中,替代传统机械继电器,提升响应速度与寿命。 4. 保护电路:如过流、欠压保护电路中的开关元件,实现快速断路功能。 5. 工业控制系统:广泛应用于工业自动化设备中的功率开关,具备良好的耐用性和稳定性。 该MOSFET采用小型封装,适合空间受限的设计,同时具备良好的热性能,便于散热设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOICMOSFET 30V 6.0A 5.0W 42mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 6 A |
Id-连续漏极电流 | - 6 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4485DY-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4485DY-T1-GE3SI4485DY-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 5 W |
Pd-功率耗散 | 5 W |
Qg-GateCharge | 13.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 13.6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 25 ns, 10 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 590pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 5.9A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4485DY-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 16 ns, 18 ns |
功率-最大值 | 5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI4485DY-GE3 |