Datasheet下载- 型号： IXTQ75N10P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ75N10P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ75N10P价格参考。IXYSIXTQ75N10P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTQ75N10P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTQ75N10P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTQ75N10P是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有高电流、低导通电阻和良好热性能的特点。该器件常用于需要高效能开关操作的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理与转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于提高能量转换效率。 2. 电机驱动系统：在直流电机、步进电机或伺服电机的控制电路中作为功率开关，适用于工业自动化和机器人领域。 3. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）和逆变器中，实现电能形式的转换与稳定输出。 4. 电动车相关应用：如电动工具、电动自行车或小型电动车的电机控制器中。 5. 照明系统：在LED照明或高强度放电灯（HID）镇流器中用于高频开关控制。 6. 工业控制设备：如PLC模块、继电器替代方案、负载开关等工业自动化控制系统中。 该MOSFET具备较高的耐用性和稳定性，适合在较高温度环境下运行，广泛应用于中高功率电子设备的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-3PMOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTQ75N10PPolarHT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTQ75N10P |
| Pd-PowerDissipation | 360 W |
| Pd-功率耗散 | 360 W |
| Qg-GateCharge | 74 nC |
| Qg-栅极电荷 | 74 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
| 上升时间 | 53 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 74nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 典型关闭延迟时间 | 66 ns |
| 功率-最大值 | 360W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 5.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarHT |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 21 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 75 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
| 系列 | IXTQ75N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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