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Datasheet下载- 型号： IRF1018ESLPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1018ESLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1018ESLPBF价格参考。International RectifierIRF1018ESLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF1018ESLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1018ESLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF1018ESLPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET晶体管。该器件广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少能量损耗，提高能效。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制，如家用电器、电动工具和风扇驱动电路，能够承受较高的脉冲电流并实现快速开关。 3. 照明系统：在LED驱动电源中作为开关元件，支持恒流控制与调光功能，提升照明系统的稳定性和效率。 4. 消费电子：用于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源部分，满足高密度集成和节能需求。 5. 工业控制：在继电器驱动、电源负载开关和保护电路中发挥关键作用，具备良好的热稳定性和可靠性。 IRF1018ESLPBF采用环保的PG-TO252-3（DPAK）封装，符合RoHS标准，适合自动化贴片生产。其优化的栅极设计降低了开关噪声，提升了系统抗干扰能力。总体而言，该MOSFET适用于中低压、中等电流的功率开关场景，在追求高效率与小体积的设计中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 79A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF1018ESLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2290pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.4 毫欧 @ 47A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 79A （Tc） |
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