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  • 型号: SI7115DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7115DN-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7115DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7115DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7115DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 150V 8.9A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7115DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7115DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的SI7115DN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:SI7115DN具有低导通电阻(Rds(on))特性,适合用作开关器件,在降压、升压或反相DC-DC转换器中实现高效的电压调节。
   - 负载开关:可用于控制设备的供电路径,例如在便携式电子设备中实现快速开启/关闭功能,同时减少功耗。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等场景中的低功率电机驱动,提供精确的速度和方向控制。
   - H桥电路:作为H桥的一部分,用于双向电机控制,常见于机器人、自动化设备等领域。

 3. 电池保护
   - 过流保护:利用MOSFET的快速响应能力,防止电路因过载而损坏,尤其适合锂电池或可充电电池管理系统。
   - 反向电流保护:防止电池在断开时产生反向电流,保护电路免受损害。

 4. 信号切换
   - 模拟信号切换:在音频、视频或其他模拟信号处理系统中,用作信号通道的选择开关。
   - 数字信号隔离:在需要电气隔离的数字通信链路中充当开关。

 5. 消费类电子产品
   - 智能手机和平板电脑:用于内部电源分配和管理,确保各模块获得适当的电压和电流。
   - USB接口保护:在USB充电或数据传输过程中,提供短路保护和电流限制功能。

 6. 工业应用
   - 传感器接口:为各种传感器提供稳定的电源供应,并实现信号的高效传输。
   - LED驱动:用于驱动高亮度LED,尤其是在背光显示或照明系统中,通过PWM调制实现亮度调节。

 特性优势
- 低导通电阻(典型值为9.8mΩ@Vgs=10V):降低功率损耗,提高效率。
- 高开关速度:支持高频应用,适合现代电子设备的需求。
- 小封装(DFN3030-8L):节省PCB空间,便于设计紧凑型产品。

综上所述,SI7115DN-T1-GE3凭借其出色的性能和紧凑的设计,成为众多低功率、高效率应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8MOSFET 150V 8.9A 52W 295mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.3 A

Id-连续漏极电流

2.3 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7115DN-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI7115DN-T1-GE3SI7115DN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3.7 W

Pd-功率耗散

3.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

295 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

295 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

- 150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

95 ns, 28 ns

下降时间

34 ns, 35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1190pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

295 毫欧 @ 4A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SI7115DN-T1-GE3TR
SI7115DNT1GE3

典型关闭延迟时间

38 ns, 52 ns

功率-最大值

52W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 50 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.9A (Tc)

系列

SI71xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7115DN-GE3

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