ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SI7115DN-T1-GE3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI7115DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7115DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7115DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7115DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 150V 8.9A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7115DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7115DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SI7115DN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:SI7115DN具有低导通电阻(Rds(on))特性,适合用作开关器件,在降压、升压或反相DC-DC转换器中实现高效的电压调节。 - 负载开关:可用于控制设备的供电路径,例如在便携式电子设备中实现快速开启/关闭功能,同时减少功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等场景中的低功率电机驱动,提供精确的速度和方向控制。 - H桥电路:作为H桥的一部分,用于双向电机控制,常见于机器人、自动化设备等领域。 3. 电池保护 - 过流保护:利用MOSFET的快速响应能力,防止电路因过载而损坏,尤其适合锂电池或可充电电池管理系统。 - 反向电流保护:防止电池在断开时产生反向电流,保护电路免受损害。 4. 信号切换 - 模拟信号切换:在音频、视频或其他模拟信号处理系统中,用作信号通道的选择开关。 - 数字信号隔离:在需要电气隔离的数字通信链路中充当开关。 5. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源分配和管理,确保各模块获得适当的电压和电流。 - USB接口保护:在USB充电或数据传输过程中,提供短路保护和电流限制功能。 6. 工业应用 - 传感器接口:为各种传感器提供稳定的电源供应,并实现信号的高效传输。 - LED驱动:用于驱动高亮度LED,尤其是在背光显示或照明系统中,通过PWM调制实现亮度调节。 特性优势 - 低导通电阻(典型值为9.8mΩ@Vgs=10V):降低功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:支持高频应用,适合现代电子设备的需求。 - 小封装(DFN3030-8L):节省PCB空间,便于设计紧凑型产品。 综上所述,SI7115DN-T1-GE3凭借其出色的性能和紧凑的设计,成为众多低功率、高效率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8MOSFET 150V 8.9A 52W 295mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7115DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7115DN-T1-GE3SI7115DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 295 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 295 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 95 ns, 28 ns |
| 下降时间 | 34 ns, 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 295 毫欧 @ 4A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7115DN-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns, 52 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.9A (Tc) |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7115DN-GE3 |