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  • 型号: IXFH24N80P
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH24N80P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH24N80P价格参考。IXYSIXFH24N80P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFH24N80P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH24N80P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFH24N80P是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单型号产品,其主要应用场景包括以下几个方面:

1. 电源管理:该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器等场景。其高电压耐受能力(800V额定电压)使其适合用于高压电源系统中,能够高效地进行电力转换和稳压。

2. 电机驱动:IXFH24N80P可用于工业自动化设备中的电机驱动电路。它支持快速开关操作,能够在高频条件下驱动直流无刷电机(BLDC)或其他类型的电机,提供稳定的电流输出。

3. 逆变器应用:在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和其他需要将直流电转换为交流电的设备中,这款MOSFET可以作为关键组件,实现高效的电能转换。

4. 负载切换与保护:由于其低导通电阻特性,IXFH24N80P非常适合用作负载切换开关,例如在汽车电子系统或家用电器中控制大功率负载的开启和关闭。同时,它可以集成到过流保护电路中,以防止系统因异常电流而损坏。

5. 脉宽调制(PWM)控制:该器件适用于各种PWM控制应用,如LED驱动器、音频放大器等。凭借其快速开关速度和低损耗特点,能够确保信号的精确传输并减少能量损失。

6. 其他高压环境下的应用:鉴于其出色的电气性能,IXFH24N80P还可能被应用于需要承受较高电压的工作环境中,比如医疗成像设备、测试测量仪器以及通信基础设施等领域。

总之,IXFH24N80P凭借其卓越的参数表现,在众多涉及高压、高频及高效能需求的应用场合中表现出色,满足不同行业的多样化要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 24A TO-247MOSFET DIODE Id24 BVdass800

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

24 A

Id-连续漏极电流

24 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFH24N80PPolarHV™ HiPerFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXFH24N80P

Pd-PowerDissipation

650 W

Pd-功率耗散

650 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

400 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

400 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

27 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

105nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

400 毫欧 @ 12A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AD (IXFH)

典型关闭延迟时间

75 ns

功率-最大值

650W

包装

管件

单位重量

6.500 g

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

25 S

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Tc)

系列

IXFH24N80

通道模式

Enhancement

配置

Single

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