【未分类_IRFP4868PBF】封装/厂家_IRFP4868PBF中文资料_价格

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型号： IRFP4868PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4868PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4868PBF价格参考￥19.67-￥43.42。International RectifierIRFP4868PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFP4868PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP4868PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFP4868PBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单通道设计。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - IRFP4868PBF常用于开关电源的设计中，作为功率开关器件。其高击穿电压（Vds = 500V）和低导通电阻特性使其适合处理高压、高频的应用环境。
   - 应用实例：适配器、充电器、工业电源等。

 2. 电机驱动
   - 在电机控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机。其高耐压能力和较大的电流承载能力（Id = 19A）能够满足各种电机驱动需求。
   - 应用实例：家用电器（如风扇、洗衣机）、电动工具、机器人等。

 3. 逆变器
   - 该型号适用于太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备。它能够在高压环境下稳定工作，确保高效的能量转换。
   - 应用实例：光伏逆变器、不间断电源（UPS）等。

 4. 电子负载
   - 在测试与测量设备中，IRFP4868PBF可用作电子负载的核心元件，提供精确的电流吸收能力。
   - 应用实例：电源测试仪、电池测试设备等。

 5. 脉宽调制（PWM）电路
   - 由于其快速开关特性和良好的热稳定性，该MOSFET非常适合用于PWM控制电路，实现对电压、电流或功率的精确调节。
   - 应用实例：LED驱动、音频放大器等。

 6. 继电器替代
   - 在需要频繁开关的场景下，IRFP4868PBF可以用作固态继电器的替代品，具有更长的使用寿命和更高的可靠性。
   - 应用实例：工业自动化设备、汽车电子等。

 总结
IRFP4868PBF凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电力电子领域，尤其是在需要高压、大电流和高效能转换的场景中。选择该型号时，需根据具体应用条件（如工作电压、电流、频率等）进行合理设计，以充分发挥其优势。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 300V 70A TO-247ACMOSFET 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	70 A
Id-连续漏极电流	70 A
品牌	International Rectifier
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4868PBF-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFP4868PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	517 W
Pd-功率耗散	517 W
Qg-GateCharge	270 nC
Qg-栅极电荷	270 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	32 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	32 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	300 V
Vds-漏源极击穿电压	300 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	16 ns
下降时间	45 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	10774pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	270nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	32 毫欧 @ 42A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-247AC
典型关闭延迟时间	62 ns
功率-最大值	517W
功率耗散	517 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	32 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	25
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	270 nC
标准包装	25
正向跨导-最小值	80 S
汲极/源极击穿电压	300 V
漏极连续电流	70 A
漏源极电压(Vdss)	300V
特色产品	http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-300-v-power-mosfets/3188
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	70A （Tc）
通道模式	Enhancement