Datasheet下载- 型号： IPI032N06N3 G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI032N06N3 G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI032N06N3 G价格参考。InfineonIPI032N06N3 G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI032N06N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI032N06N3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌（Infineon Technologies）型号为 IPI032N06N3 G 的器件是一款集成式功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件主要用于电源管理和电机控制等应用中。 主要应用场景包括： 1. 工业自动化与驱动系统： 适用于变频器、伺服驱动器和步进电机控制器，提供高效、可靠的功率开关功能。 2. 电动汽车及充电桩： 在车载充电器（OBC）、DC-DC转换器中用于电能转换和管理，具备高效率和高可靠性。 3. 可再生能源系统： 如太阳能逆变器和储能系统中，用于实现高效的能量转换和控制。 4. 家电与白色家电： 应用于洗衣机、空调压缩机、风扇等设备中的电机驱动模块，提升能效和系统稳定性。 5. 电源供应器与UPS（不间断电源）： 在开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器中作为核心功率开关元件，支持高频操作和低损耗。 该器件集成了保护功能（如过流、短路保护），适用于高温和严苛环境，适合对系统安全性要求较高的工业与汽车应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3MOSFET N-KANAL POWER MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI032N06N3 GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 |
| 产品型号 | IPI032N06N3 G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 188 W |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| Qg-GateCharge | 165 nC |
| Qg-栅极电荷 | 165 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 118µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13000pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 165nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | SP000451490 |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 功率-最大值 | 188W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 75 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | IPI032N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPI032N06N3GAKSA1 SP000680650 |
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