ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列 > BAT54SLT1G
Datasheet下载- 型号： BAT54SLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAT54SLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAT54SLT1G价格参考￥0.05-￥0.05。ON SemiconductorBAT54SLT1G封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 30V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3。您可以下载BAT54SLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAT54SLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的BAT54SLT1G是一款双肖特基二极管阵列，采用SOT-23封装，属于二极管 - 整流器 - 阵列类别。该器件由两个独立的肖特基二极管共阴极连接构成，具有低正向导通电压（典型值约0.3V）、快速开关响应和低反向漏电流等特点。 BAT54SLT1G广泛应用于对效率和空间要求较高的电子设备中。常见应用场景包括：便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的信号整流与保护电路；电源管理模块中的防反接和电源切换电路；以及各类低电压、低功耗系统中的输入保护和电平转换电路。 此外，由于其高速开关特性，该型号也常用于高频开关电源、DC-DC转换器中的续流或箝位二极管，以及I/O端口的静电放电（ESD）保护。在通信设备、传感器接口和微控制器外围电路中，BAT54SLT1G可用于防止反向电流和抑制电压瞬变，提高系统可靠性。 得益于SOT-23小型化封装，BAT54SLT1G非常适合高密度PCB布局，适用于追求小型化和轻量化的现代电子产品设计。同时，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业级工作温度范围应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23肖特基二极管与整流器 30V 225mW Dual |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor BAT54SLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BAT54SLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 800mV @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 25V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对串联 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BAT54SLT1GOSTR |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 5ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 5 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA at 25 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.8 V at 0.1 A |
| 正向连续电流 | 0.2 A |
| 热阻 | - |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 200mA（DC） |
| 系列 | BAT54SL |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Dual Series |
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