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  • 型号: IRL8113STRR
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL8113STRR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL8113STRR价格参考。International RectifierIRL8113STRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL8113STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL8113STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRL8113STRR的器件是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单沟道N型MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电子电路中。

IRL8113STRR的主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。

2. 电机控制:在电动工具、无人机、机器人和电动车等应用中,作为H桥或PWM电机驱动电路的核心开关元件。

3. 照明系统:用于LED驱动电路,特别是在汽车照明和工业照明中,提供高效稳定的电流控制。

4. 电池管理系统(BMS):在锂电池保护电路中作为高侧或低侧开关,实现充放电控制与过流保护。

5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和智能家电中,用于功率开关和电源管理模块。

该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高频率响应和良好的热稳定性,适合高频开关和节能设计。采用TSSOP封装,体积小,适合高密度PCB布局。

总之,IRL8113STRR适用于对效率、空间和可靠性有较高要求的各种功率电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

IRL8113STRR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.25V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2840pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 毫欧 @ 21A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

110W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

105A (Tc)

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