Datasheet下载- 型号： SI1469DH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1469DH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1469DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1469DH-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1469DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1469DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1469DH-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制和低导通电阻的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中的电源开关与负载管理，提升能效并延长电池续航。 2. DC-DC 转换器：在同步整流电路中作为高效开关元件，提升转换效率，适用于各类电源适配器和嵌入式电源系统。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如电机、LED 照明或加热元件，具备快速响应与低损耗特性。 4. 逆变器与电机驱动：适用于小型逆变器、直流电机或步进电机的驱动电路，支持高频开关操作。 5. 电池保护电路：在电池管理系统（BMS）中用于过流、过压保护，确保电池使用安全。 该器件具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（-20V）及紧凑封装，适合空间受限、效率要求高的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1469DH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1469DH-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 2.78W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Tc） |
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