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  • 型号: RJK1002DPN-E0#T2
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RJK1002DPN-E0#T2由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJK1002DPN-E0#T2价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJK1002DPN-E0#T2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RJK1002DPN-E0#T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RJK1002DPN-E0#T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Renesas Electronics America的RJK1002DPN-E0#T2是一款由瑞萨电子(原Intersil公司)生产的单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和高可靠性的电源管理系统中。

该MOSFET主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电源转换和管理电路,提供高效的电能转换。

2. 电机控制:在电机驱动器和电机控制系统中作为开关元件,控制电机的启停和转速。

3. 工业自动化:用于工业控制系统中的功率开关,如PLC模块、继电器替代方案等。

4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和电源适配器中,用于电池管理和电源切换。

5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明控制和车载充电器等应用。

该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合在中高功率应用中使用,同时支持表面贴装封装,便于自动化生产和小型化设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 70A TO220

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Renesas Electronics America

数据手册

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产品图片

产品型号

RJK1002DPN-E0#T2

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6450pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

94nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.6 毫欧 @ 35A, 10V

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

150W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

70A (Ta)

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