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产品简介:
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Renesas Electronics America的RJK1002DPN-E0#T2是一款由瑞萨电子(原Intersil公司)生产的单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和高可靠性的电源管理系统中。 该MOSFET主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电源转换和管理电路,提供高效的电能转换。 2. 电机控制:在电机驱动器和电机控制系统中作为开关元件,控制电机的启停和转速。 3. 工业自动化:用于工业控制系统中的功率开关,如PLC模块、继电器替代方案等。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和电源适配器中,用于电池管理和电源切换。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明控制和车载充电器等应用。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合在中高功率应用中使用,同时支持表面贴装封装,便于自动化生产和小型化设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 70A TO220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RJK1002DPN-E0#T2 |
PCN组件/产地 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6450pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 94nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.6 毫欧 @ 35A, 10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 150W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A (Ta) |