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  • 型号: IRFB9N60APBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB9N60APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB9N60APBF价格参考¥6.71-¥7.03。VishayIRFB9N60APBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFB9N60APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB9N60APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.2 A

Id-连续漏极电流

9.2 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFB9N60APBF-

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产品型号

IRFB9N60APBFIRFB9N60APBF

Pd-PowerDissipation

170 W

Pd-功率耗散

170 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

750 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

750 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

25 ns

下降时间

22 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

49nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

750 毫欧 @ 5.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFB9N60APBF

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

170W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.2A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

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