Datasheet下载- 型号： IRFB9N60APBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB9N60APBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB9N60APBF价格参考￥6.71-￥7.03。VishayIRFB9N60APBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFB9N60APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB9N60APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFB9N60APBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源拓扑结构，如升压、降压和反激式转换器。其高电压耐受能力（600V）使其非常适合用于离线电源适配器和工业电源。 2. 电机驱动：由于其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，IRFB9N60APBF在电机驱动应用中表现出色，例如家用电器中的小型电机控制或工业自动化设备中的伺服电机驱动。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，这款MOSFET可以作为高效开关元件使用，帮助实现直流到交流的转换。 4. DC-DC转换器：在需要高效率和小尺寸设计的DC-DC转换电路中，IRFB9N60APBF能够提供稳定的性能，支持汽车电子系统、通信设备等领域的应用。 5. 负载切换与保护电路：利用其良好的电气特性和热稳定性，此器件可用于设计过流保护、短路保护等功能模块，确保系统的安全运行。 6. 不间断电源（UPS）系统：在UPS的设计中，该MOSFET可参与电池充放电管理以及输出电压调节等环节，保证供电连续性。 总之，凭借其出色的电气参数（如击穿电压、导通电阻、栅极电荷等），IRFB9N60APBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及可再生能源等多个行业领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFB9N60APBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB9N60APBFIRFB9N60APBF |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 750 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFB9N60APBF |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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